SIMS와 FIB, EDS의 원리 및 분석 결과 1. SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)1.1 원리 및 특징SIMS는 이온빔을 고체 시료 표면에 충돌시켜 표면으로부터 방출되는 2차 이온의 질량을 검출하는 원리를 이용합니다. Sputtering 과정에서 방출된 이온을 이용해 반도체에 박막을 형성하면 PVD, 반도체를 깎아내면 Etch, 분석하면 SIMS가 됩니다. SIMS는 이온빔을 사용하여 부도체 시료도 분석할 수 있습니다. Dynamic SIMS는 깊이에 따른 원자층의 화학적 원소 분석 및 질량 분석을 수행하며, Static SIMS는 표면에 존재하는 원자나 분자들을 질량 대 전하량의 상대적 비율로 분석합니다. 또한, TOF-SIMS는 샘플 표면으로부터 동위원소, 원소 및 분자 정보를 분석합니다. 1.2 분석 결과 및.. 2024. 6. 29. Prev Next