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SIMS와 FIB, EDS의 원리 및 분석 결과 1. SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)1.1 원리 및 특징SIMS는 이온빔을 고체 시료 표면에 충돌시켜 표면으로부터 방출되는 2차 이온의 질량을 검출하는 원리를 이용합니다. Sputtering 과정에서 방출된 이온을 이용해 반도체에 박막을 형성하면 PVD, 반도체를 깎아내면 Etch, 분석하면 SIMS가 됩니다. SIMS는 이온빔을 사용하여 부도체 시료도 분석할 수 있습니다. Dynamic SIMS는 깊이에 따른 원자층의 화학적 원소 분석 및 질량 분석을 수행하며, Static SIMS는 표면에 존재하는 원자나 분자들을 질량 대 전하량의 상대적 비율로 분석합니다. 또한, TOF-SIMS는 샘플 표면으로부터 동위원소, 원소 및 분자 정보를 분석합니다. 1.2 분석 결과 및.. 2024. 6. 29.
SEM 분석 & TEM 분석 : 원리와 특징, 그리고 분석 결과 및 해석 반도체 관련 공부를 하셨다면, SEM, TEM 분석에 관해 많이 들어보셨을 거예요. 앞선 피드에서 간략하게 SEM, TEM 등 여러 분석 기술에 대해서 다뤘습니다. 제 피드를 방문해 주시는 분들께서 SEM, TEM 분석에 좀 더 자세한 내용을 다루기를 원하셔서 이번 피드에서 다뤄보도록 하겠습니다.1. SEM(주사전자현미경)1.1 원리 및 특징  주사전자현미경(SEM)은 전자기 렌즈의 작용으로 작게 조여진 전자빔(전자 probe)을 시료 표면에 조사하여 방출되는 2차 전자 및 반사전자(BSE)의 신호를 수집하여 영상을 출력하는 원리를 사용합니다. BSE의 산란 각도는 시편의 핵이 갖는 원자번호에 의해 좌우되기 때문에 시료 표면의 화학 조성에 따른 정보를 얻을 수 있습니다. 또한, SEM에 별도 옵션인 ED.. 2024. 6. 24.
"Reflectometer, Ellipsometer : 원리 및 특징" 한 번에 정리 끝 Reflectometer, Ellipsometer의 원리와 특징을 아시나요? Reflectometer, Ellipsometer의 원리와 특징을 간략하게 알아보고 해석 결과에 대한 데이터를 확인해 보겠습니다. 또한, Reflectometer와 Ellipsometer의 특징을 비교하여 차이점을 알아보도록 할게요!Reflectometer 원리 및 특징Reflectometer는 시료 표면에 입사광을 수평에 가깝게 입사시켜 입사 각도에 따른 빛 반사율의 의존성을 조사하는 원리입니다. 특징은 다음과 같습니다. 1) 박막 구조 변수 검출: 박막의 두께, 밀도, 표면 및 계면의 거칠기(Roughness) 등을 검출할 수 있으며, 각 필름에 대해 분석 모델링한 후 측정값과 비교 및 대조하여 분석값을 결정할 수 있습니다... 2024. 6. 12.
반도체 소자 분석 기술 "XPS, XRD, XRR, SR : 원리 및 특징" 반도체는 집적 기술 이외에도 소자를 분석하는 기술이 매우 중요합니다. 일반적으로 소자의 특성을 이해하고 품질을 향상시키기 위해 분석을 진행합니다. 반도체가 더욱 발전하기 위해서는 시료의 성분 분석, 표면 분석, 결정성 등을 파악하는 것이 매우 중요합니다. 이를 통해 설계, 공정, 품질 개선이 가능합니다. 이번 글에서는 미세 반도체 소자의 시료 성분 분석에 필요한 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscope), XRD(X-ray Diffraction), XRR(X-ray Reflectometer), SR(Spectroscopic Reflectometer)에 대해 상세히 알아보겠습니다. XPS 원리 및 특징XPS는 시료 표면에 특성 X-Ray를 조사하여 방출되는 광전자의 운동에너지를 통.. 2024. 6. 11.
이해하기 쉽게 알려주는 "NAND Flash" 이야기 2편 NAND Flash의 변화NAND Flash는 반도체 소자를 집적하는 기술 이외에도 소자 분석 기술이 매우 중요합니다. 소자의 특성을 이해하고 품질을 향상시키기 위해 분석을 진행하는데, 최근 NAND Flash는 소자가 미세화되면서 2D 구조의 한계에 도달했습니다. Floating Gate(이하 FG) 간섭 현상 증가, Photo lithography 구현 문제 등 여러 어려움이 발생했습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 구조적인 개선을 한 것이 바로 z축 방향으로 Stacking을 하는 것이었습니다. Stacking을 통해 더 많은 데이터를 저장하고, 셀 간의 간섭을 줄여 신뢰성을 높였습니다.3D NAND Flash 구조와 장점3D NAND Flash, 또는 V-NAND라고 불리는 3D NAND는 웨이.. 2024. 3. 8.
이해하기 쉽게 알려주는 "NAND Flash" 이야기 1편 NAND Flash의 변화NAND Flash는 오랜 기간에 걸쳐 많은 변화를 해왔습니다. 고효율 소자를 만들기 위한 목표로 회로 선폭은 좁아졌고, 고밀도 집적 회로를 만들기 위해서 2D 형태의 소자는 3D 형태로 발전했습니다. 이번 피드에서는 NAND Flash가 어떻게 변화했고, 어떤 방식으로 동작하는지, 저장 형태는 어떻게 되는지 알아보겠습니다.2D NAND Flash 구조와 저장 방식Planar 구조 최초 NAND Flash 소자는 2D 구조로 제작되었습니다. 2D Nand Flash는 플래시 메모리 셀이 웨이퍼 표면과 나란히 배치된 메모리입니다. 따라서, Planar 또는 평면 구조라고도 부릅니다. 일반적으로, 2D NAND Flash는 전자들을 저장하는 공간인 Floating Gate(FG)가 .. 2024. 2. 7.
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